Raddoppiare l’efficienza dei semiconduttori organici e aprire la strada a nuove applicazioni di questi dispositivi, a costi piu’ accessibili. E’ quanto e’ riuscito a fare un gruppo dell’universita’ californiana di Stanford, che sulla rivista Nature ha descritto una tecnica per migliorare la mobilita’ delle cariche elettriche dei dispositivi organici.
Ad eccezione di elementi costosi, come silicio o germanio, i semiconduttori organici rappresentano un’importante promessa per il futuro, ma le loro prestazioni sono ancora molto lontane da quelle dei corrispettivi dispositivi organici. Prendendo spunto dai sistemi di lavorazione utilizzati sul silicio nel campo dell’elettronica, i ricercatori americani hanno dimostrato che introducendo una tensione al reticolo cristallino durante la sua realizzazione si puo’ incrementare di molto la mobilita’ delle cariche elettriche. I ricercatori hanno mostrato che il passaggio e’ in grado di modificare la struttura del materiale aumentando la sovrapposizione degli orbitali elettronici, e di conseguenza la mobilita’ degli elettroni. Questo tipo di lavorazione, che finora era stata applicata solo per i semiconduttori inorganici, ha portato a registrare prestazioni di due volte superiori a quelle finora ottenute dai materiali organici.
